La prochaine étape dans le domaine des radiofréquences : les réseaux phasés, le GaN sur SiC et la course au SWaP-C

Levez les yeux : des milliers de satellites diffusent un accès haut débit depuis l’orbite terrestre basse. Regardez autour de vous : les radars qui, autrefois, tournaient sur des mâts orientent désormais leurs faisceaux par voie électronique sans déplacer l’antenne, et les répéteurs 5G étendent la couverture des ondes millimétriques plus loin que jamais. Derrière chacune de ces avancées se cache la même révolution silencieuse dans la chaîne de signaux RF, ainsi que la même pression incessante pour offrir davantage de performances tout en réduisant la taille, le poids, la consommation et le coût. Au cours de cette session au rythme soutenu, nous vous dévoilerons comment sont conçus les systèmes RF les plus exigeants d’aujourd’hui. Vous découvrirez comment fonctionne réellement la formation de faisceaux, et pourquoi une poignée de diodes à faible coût peut désormais orienter un faisceau qui nécessitait autrefois un réseau actif coûteux. Vous verrez pourquoi le GaN sur SiC s’est imposé dans les émetteurs haute puissance tandis que le GaAs règne toujours sur l’univers silencieux des récepteurs à faible bruit, et comment les ingénieurs préservent la pureté des signaux dans un spectre de plus en plus encombré. Des frontaux de radar aux émetteurs avioniques de l’ordre du kilowatt, en passant par les composants devant résister aux rayonnements de l’espace, nous suivrons le signal de bout en bout, pour conclure par les innovations qui permettent de réduire des banques de filtres entières à un seul composant et de faire baisser le bruit de phase des oscillateurs à des niveaux jamais atteints. Préparez vos questions les plus pointues pour la session de questions-réponses en direct.

Principaux enseignements

• Comment fonctionne réellement le beamforming, et quelle architecture convient à votre système ?
• Pourquoi quelques diodes peu coûteuses peuvent orienter un faisceau : l'essor des réseaux de métamatériaux
• Dans quels domaines le GaN sur SiC s'impose, dans quels domaines le GaAs s'impose, et en quoi cela est important pour votre conception
• Comment préserver la qualité des signaux dans un spectre de plus en plus encombré
• Ce que signifie pour les ingénieurs en radiofréquence le passage des antennes radar rotatives aux réseaux AESA
• Comment sont fabriqués les émetteurs avioniques de l'ordre du kilowatt à partir de transistors GaN sur SiC
• Comment choisir des composants pour le secteur spatial, des composants COTS aux composants résistants aux rayonnements
• Comment les bancs de filtres miniatures et les oscillateurs à faible bruit de phase réduisent la longueur de la chaîne de signal

Animateur

Baljit Chandhoke, chef de produit , Produits RF et hyperfréquences, Microchip

Baljit Chandhoke est à l'origine d'innovations en matière de radiofréquence (RF) dans les domaines de la 5G, des communications par satellite, ainsi que des applications aérospatiales et de défense. Passionné par la connectivité de nouvelle génération, il dirige des équipes chargées de développer des solutions RF hautes performances en collaboration avec des clients du monde entier, d’élaborer des stratégies concurrentielles, de remporter des contrats de conception et d’influencer les approches de mise sur le marché. Face à l’évolution rapide de l’optimisation RF pilotée par l’IA, de la formation de faisceaux et des architectures définies par logiciel, qui offrent des opportunités illimitées, Baljit est convaincu que le fait que les solutions de semi-conducteurs RF soient essentielles aux applications critiques est à la fois un privilège et une motivation pour repousser les limites du possible.

Il est l'auteur de nombreux articles publiés dans des revues de référence du secteur et a intervenu lors de plusieurs conférences, au sein de consortiums, dans des vidéos YouTube et lors de webinaires consacrés aux technologies et aux tendances en matière de radiofréquence. Avant de rejoindre Microchip, Baljit a occupé des postes de direction chez GlobalFoundries, Renesas (IDT), ON Semiconductor et Cypress Semiconductor. Il est titulaire d'un MBA de l'université d'État de l'Arizona, d'un master en télécommunications de l'université du Colorado à Boulder et d'une licence en génie électronique et des télécommunications de l'université de Mumbai, en Inde.