10 juillet 2023 - GENEVE, Ill : Richardson RFPD, Inc, une société d'Arrow Electronics, a annoncé aujourd'hui la disponibilité et les capacités complètes de support de conception pour un nouveau design de référence de NXP Semiconductors.
Le A3G26D055N-100 est une conception de référence commandable pour le A3G26D055NT4 de NXP, un HEMT GaN discret de puissance RF 100-2690 MHz logé dans un boîtier plastique surmoulé DFN 7 mm x 6,5 mm. Il possède une sortie inégalée permettant une utilisation sur une large gamme de fréquences. Le transistor est conçu pour les applications de stations de base cellulaires nécessitant une large bande passante instantanée.
Le circuit A3G26D055N-100 optimise le dispositif de 100 à 2500 MHz, avec 12 W CW et 11 dB de gain en utilisant la moitié du dispositif. Le circuit compact (7 cm x 5 cm) peut être commandé auprès de Richardson RFPD, et les informations relatives au circuit peuvent faire l'objet d'une licence auprès de NXP.
Performance typique :
Fréquence (MHz) | Pout | Gain | IRL | Efficacité du drainage | ID |
100 | 14.8 | 11.7 | -2.5 | 85.7 | 0.540 |
1000 | 11.9 | 10.7 | -7.9 | 64.4 | 0.580 |
2000 | 11.7 | 10.7 | -5.2 | 54.8 | 0.670 |
2500 | 10.9 | 10.3 | -4.9 | 52.9 | 0.640 |
VDD = 48 Vdc, IDQ = 45 mA (VGG = ~ -2,7 Vdc), Pin = 1 W, CW
Pour plus d'informations ou pour acheter ce produit aujourd'hui en ligne, visitez la page web de NXP A3G26D055N-100. Le produit est également disponible en appelant le 1-800-737-6937 (en Amérique du Nord) ou en trouvant un ingénieur commercial local (dans le monde entier) sur le site Local Sales Support. Pour en savoir plus sur les autres produits de NXP, visitez la page web de la vitrine de NXP.
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MARK VITELLARO
Directeur du marketing stratégique
P : 630 262 6800
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