10 de julio de 2023 - GINEBRA, Illinois: Richardson RFPD, Inc. una empresa de Arrow Electronics, ha anunciado hoy la disponibilidad y las capacidades completas de soporte de diseño para un nuevo diseño de referencia de NXP Semiconductors.
El A3G26D055N-100 es un diseño de referencia que se puede pedir para el A3G26D055NT4 de NXP, un HEMT de GaN discreto de 100-2690 MHz de potencia de RF alojado en un encapsulado de plástico DFN de 7 mm x 6,5 mm sobremoldeado. Tiene una salida inigualable que permite su utilización en un amplio rango de frecuencias. El transistor está diseñado para aplicaciones de estaciones base de telefonía móvil que requieren un gran ancho de banda instantáneo.
El circuito A3G26D055N-100 optimiza el dispositivo de 100-2500 MHz, con 12 W CW y 11 dB de ganancia utilizando la mitad del dispositivo. El circuito compacto (7 cm x 5 cm) puede solicitarse a Richardson RFPD, y la información del circuito puede obtenerse bajo licencia de NXP.
Rendimiento típico:
Frecuencia (MHz) | Pout | Ganancia | IRL | Eficacia del drenaje | ID |
100 | 14.8 | 11.7 | -2.5 | 85.7 | 0.540 |
1000 | 11.9 | 10.7 | -7.9 | 64.4 | 0.580 |
2000 | 11.7 | 10.7 | -5.2 | 54.8 | 0.670 |
2500 | 10.9 | 10.3 | -4.9 | 52.9 | 0.640 |
VDD = 48 Vcc, IDQ = 45 mA (VGG = ~ -2,7 Vcc), Pin = 1 W, CW
Para obtener más información o adquirir este producto hoy mismo en línea, visite la página web de NXP A3G26D055N-100. El producto también está disponible llamando al 1-800-737-6937 (en Norteamérica) o buscando un ingeniero de ventas local (en todo el mundo) en Local Sales Support. Para obtener más información sobre otros productos de NXP, visite la página web de la tienda de NXP.
PARA MÁS INFORMACIÓN
MARK VITELLARO
Director de Marketing Estratégico
P: 630 262 6800
mvitellaro@richardsonrfpd.com
