DOWNERS GROVE, Illinois (8 décembre 2025) – Richardson RFPD, Inc., une société du groupe Arrow Electronics, propose désormais une assistance complète à la conception et la disponibilité de deux nouveaux transistors de puissance RF GaN haute performance de Guerrilla RF : les GRF0020 et GRF0030. Ces HEMT GaN-sur-SiC offrent une efficacité et une bande passante exceptionnelles pour les applications RF exigeantes.

Des performances inégalées pour les systèmes RF

• GRF0020
  • Gamme de fréquences : CC à 7,0 GHz
  • Puissance de sortie (P3dB) : 30 W à 50 V ; 19 W à 28 V
  • Gain saturé : 13,5 dB
  • Efficacité de drainage : 51 %
  • Puissance de sortie saturée : 45,1 dBm
• GRF0030
  • Gamme de fréquences : CC à 6,0 GHz
  • Puissance de sortie (P3dB) : 50 W à 50 V ; 25 W à 28 V
  • Gain saturé : 12,7 dB
  • Efficacité de drainage : 60 %
  • Puissance de sortie saturée : 46,6 dBm

Les deux dispositifs fonctionnent sur des rails d'alimentation de 50 V et prennent en charge un fonctionnement à 28 V pour plus de flexibilité. Ils sont logés dans des boîtiers QFN-16 à montage en surface de 3 mm x 3 mm conformes aux normes industrielles et sont également disponibles sous forme de puces nues : GRF0020D et GRF0030D.

Applications

• Infrastructure cellulaire
• Systèmes radar
• Communications sans fil
• Équipement de test et de mesure

Pourquoi le GaN sur SiC ?

La technologie GaN-on-SiC offre une densité de puissance, des performances thermiques et un rendement supérieurs à ceux des solutions LDMOS ou GaAs traditionnelles, ce qui rend ces dispositifs idéaux pour les conceptions RF de nouvelle génération.

En savoir plus

Pour obtenir les fiches techniques, les tarifs et acheter en ligne, rendez-vous sur Richardson RFPD : GRF0020 & GRF0030. Pour en savoir plus sur les autres produits Guerrilla RF, rendez-vous sur la page Web de la boutique Guerrilla RF.

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