伊利诺伊州唐纳斯格罗夫市（2025年12月8日）—— Arrow Electronics旗下睿查森电子现为Guerrilla RF两款新型高性能氮化镓射频功率晶体管GRF0020和 GRF0030提供全面设计支持与供货服务。这些氮化镓-碳化硅HEMT器件为高要求射频应用提供卓越的效率与带宽性能。

射频系统卓越性能

• GRF0020
  • 频率范围：直流至7.0 GHz
  • 输出功率（P3dB）：30 W @ 50 V；19 W @ 28 V
  • 饱和增益：13.5 dB
  • 排水效率：51%
  • 饱和输出功率：45.1 dBm
• GRF0030
  • 频率范围：直流至6.0 GHz
  • 输出功率（P3dB）：50 W @ 50 V；25 W @ 28 V
  • 饱和增益：12.7 dB
  • 排水效率：60%
  • 饱和输出功率：46.6 dBm

两款器件均采用50V供电轨工作，并支持28V运行以增强灵活性。它们采用行业标准的3mm×3mm QFN-16表面贴装封装，同时提供裸芯片版本：GRF0020D和GRF0030D。

应用

• 蜂窝基础设施
• 雷达系统
• 无线通信
• 测试与测量设备

为何选择氮化镓衬底碳化硅？

与传统的LDMOS或GaAs解决方案相比，GaN-on-SiC技术具有更优越的功率密度、热性能和效率，使这些器件成为下一代射频设计的理想选择。

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