Nouveautés
NXP® Semiconductors Semiconductors a annoncé ses nouveaux modules frontaux BTS7202 RX (FEM) et pré-drivers BTS6403/6305 de plus grande puissance pour la 5G à entrées multiples et sorties multiples (MIMO) massive, allant jusqu'à 20 W par canal. Développés et mis en œuvre dans le processus silicium germanium (SiGe) de NXP, les dispositifs fonctionnent avec une consommation de courant modeste afin de réduire les coûts d'exploitation des opérateurs de réseaux mobiles (ORM). Ils offrent également une linéarité améliorée et un facteur de bruit réduit afin d'améliorer la qualité du signal 5G.
Pourquoi c'est important
Alors que les réseaux 5G continuent d'être construits dans le monde entier, les opérateurs de réseaux mobiles utilisent de plus en plus les solutions 32T32R pour améliorer la couverture massive MIMO dans les zones urbaines et suburbaines moins denses. L'utilisation de solutions 32T32R nécessite l'utilisation d'appareils plus puissants qui augmentent le niveau de puissance par canal afin d'atteindre la puissance totale requise pour assurer une forte couverture du signal 5G.
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