Dispositifs GaN polyvalents à large bande en boîtiers QFN16 3x3

HEMTs GaN-sur-SiC en boîtier pour applications RF à haute performance

Les nouveaux HEMT 30 watts et 50 watts de Guerrilla RFLes nouveaux GRF0020 de 30 watts et GRF0030 de 50 watts de Guerrilla RF sont des HEMT GaN-sur-SiC discrets inégalés qui fonctionnent respectivement de DC à 7 GHz et de DC à 6 GHz sur des rails d'alimentation de 50 V. Les dispositifs peuvent également fonctionner sur des rails d'alimentation de 28 V. Ils délivrent 19 W et 25 W de puissance saturée. Les dispositifs peuvent également fonctionner sur des rails d'alimentation de 28 V, délivrant 19 W et 25 W de puissance de sortie saturée.

Nouveau ! GRF0020 & GRF0030 de GuerrillaRF

La large bande passante de ces nouveaux dispositifs les rend adaptés à une variété d'applications, y compris l'infrastructure 5G/cellulaire, les radars, les communications et les instruments d'essai, et peut prendre en charge à la fois les opérations linéaires et pulsées.

Applications

  • Stations de base 5G et infrastructure de réseau
  • Systèmes de communication par satellite
  • Radios tactiques
  • Communications par micro-ondes
  • Communications par drone
  • Brouillage C-UAS/Drone
  • Contre-mesures EW
  • Systèmes radar
  • Dispositifs d'imagerie médicale (par exemple, IRM)
  • Chauffage RF et génération de plasma
  • Équipement de test des semi-conducteurs
  • Émetteurs de radiodiffusion
  • Systèmes hyperfréquences à haute puissance
  • Systèmes d'antennes distribuées (DAS)
  • Répéteurs
  • Amplification laser à haute puissance

Également disponible en tant que matrice nue : GRF0020D

GRF0020

Le GRF0020 est un HEMT GaN-sur-SiC discret de 30W (P3dB) inégalé qui fonctionne de DC à 7.0GHz sur un rail d'alimentation de 50V. Ce dispositif peut également fonctionner sur un rail d'alimentation de 28V, délivrant 19W de puissance de sortie saturée.
  • Gamme de fréquences de fonctionnement : DC à 7,0 GHz
  • Puissance de sortie maximale (PSAT) : 30 W @ 50 V ; 19 W @ 28 V
  • Tension de vidange opérationnelle : 50 V & 28 V
  • Gain de puissance : 16 dB (@ 50 V)
  • Gain de petit signal : 15,5 dB (à 50 V)
  • Efficacité du drain saturé : 48% (@ 50 V)
  • Puissance de sortie saturée : 45 dBm (@ 50 V)
  • Convient aux applications pulsées et linéaires

Également disponible en tant que matrice nue : GRF0030D

GRF0030

Le GRF0030 est un HEMT GaN-sur-SiC discret de 50W (P3dB) inégalé qui fonctionne de DC à 6.0GHz sur un rail d'alimentation de 50V. Ce dispositif peut également fonctionner sur un rail d'alimentation de 28V, délivrant 25W de puissance de sortie saturée.
  • Gamme de fréquences de fonctionnement : DC à 6,0 GHz
  • Puissance de sortie maximale (PSAT) : 50 W @ 50 V ; 25 W @ 28 V
  • Tension de vidange opérationnelle : 50 V & 28 V
  • Gain de puissance : 16 dB (@ 50 V)
  • Gain de petit signal : 15,5 dB (à 50 V)
  • Rendement du drain saturé : 54,5 % (à 50 V)
  • Puissance de sortie saturée : 47 dBm (@ 50 V)
  • Convient aux applications pulsées et linéaires

Cartes d'évaluation (GRF0020 & GRF0030)

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GRF0020-EVB

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GRF0030-EVB

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À propos de notre équipe d'experts

Le RFPD de Richardson dispose d'une équipe de plus de 50 ressources techniques disponibles pour fournir une assistance à la conception sur une variété de sujets. Bien qu'ils soient trop nombreux pour être cités, nous avons mis l'accent sur des sujets spécifiques qui représentent notre soutien.