Vielseitige, breitbandige GaN-Bauelemente im 3x3 QFN16-Gehäuse

Gehäuste GaN-on-SiC-HEMTs für Hochleistungs-RF-Anwendungen
Guerrilla RF: GRF0020 & GRF0030

Guerrilla RF: GRF0020 & GRF0030

Guerrilla RFDie neuen 30-Watt-Bausteine GRF0020 und 50-Watt-Bausteine GRF0030 von Guerrilla RF sind unübertroffene diskrete GaN-on-SiC-HEMTs, die von DC bis 7 GHz bzw. DC bis 6 GHz an 50-V-Versorgungsschienen arbeiten. Die Bauelemente können auch mit 28-V-Versorgungsschienen betrieben werden und liefern eine gesättigte Ausgangsleistung von 19 W und 25 W.

Neu! GRF0020 & GRF0030 von GuerrillaRF

Dank der großen Bandbreite dieser neuen Geräte eignen sie sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter 5G/Zellularinfrastruktur, Radar, Kommunikation und Testinstrumente, und können sowohl lineare als auch gepulste Vorgänge unterstützen.

Anwendungen

  • 5G-Basisstationen und Netzinfrastruktur
  • Satellitengestützte Kommunikationssysteme
  • Taktische Funkgeräte
  • Kommunikation im Mikrowellenbereich
  • Drohnen-Kommunikation
  • C-UAS/Drohnen-Störsender
  • EW-Gegenmaßnahmen
  • Radaranlagen
  • Medizinische Bildgebungsgeräte (z. B. MRI)
  • RF-Heizung und Plasmaerzeugung
  • Halbleiterprüfgeräte
  • Rundfunk-Sender
  • Mikrowellensysteme mit hoher Leistung
  • Verteilte Antennensysteme (DAS)
  • Repeater
  • Leistungsstarke Laserverstärkung

Auch als blanker Würfel erhältlich: GRF0020D

GRF0020

Der GRF0020 ist ein unübertroffener diskreter GaN-on-SiC-HEMT mit 30 W (P3dB), der von DC bis 7,0 GHz an einer 50-V-Versorgungsschiene arbeitet. Dieser Baustein kann auch mit einer 28-V-Versorgungsschiene betrieben werden und liefert eine gesättigte Ausgangsleistung von 19 W.
  • Betriebsfrequenzbereich: DC bis 7,0 GHz
  • Maximale Ausgangsleistung (PSAT): 30 W @ 50 V; 19 W @ 28 V
  • Drain-Betriebsspannung: 50 V & 28 V
  • Leistungsverstärkung: 16 dB (@ 50 V)
  • Kleinsignalverstärkung: 15,5 dB (@ 50 V)
  • Gesättigter Drain-Wirkungsgrad: 48% (@ 50 V)
  • Gesättigte Ausgangsleistung: 45 dBm (@ 50 V)
  • Geeignet für gepulste und lineare Anwendungen

Auch als blanker Würfel erhältlich: GRF0030D

GRF0030

Der GRF0030 ist ein unübertroffener diskreter GaN-on-SiC-HEMT mit 50 W (P3dB), der von DC bis 6,0 GHz an einer 50-V-Versorgungsschiene arbeitet. Dieser Baustein kann auch mit einer 28-V-Versorgungsschiene betrieben werden und liefert eine gesättigte Ausgangsleistung von 25 W.
  • Betriebsfrequenzbereich: DC bis 6,0 GHz
  • Maximale Ausgangsleistung (PSAT): 50 W @ 50 V; 25 W @ 28 V
  • Drain-Betriebsspannung: 50 V & 28 V
  • Leistungsverstärkung: 16 dB (@ 50 V)
  • Kleinsignalverstärkung: 15,5 dB (@ 50 V)
  • Gesättigter Drain-Wirkungsgrad: 54,5% (@ 50 V)
  • Gesättigte Ausgangsleistung: 47 dBm (@ 50 V)
  • Geeignet für gepulste und lineare Anwendungen

Evaluation Boards (GRF0020 & GRF0030)

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GRF0020-EVB

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GRF0030-EVB

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Über unser Expertenteam

Richardson RFPD verfügt über ein Team von mehr als 50 technischen Mitarbeitern, die bei einer Vielzahl von Themen Unterstützung leisten. Obwohl es zu viele sind, um sie alle aufzuzählen, haben wir bestimmte Themen hervorgehoben, die einen Eindruck von unserer Unterstützung vermitteln.