MACOM propose une gamme étendue de transistors de puissance GaN sur SiC à utiliser dans la conception d'émetteurs cellulaires supportant toutes les normes et bandes de fréquences mondiales. La gamme comprend le WS1A3940-V1 (3700-3980 MHz, 39,5 dBm GaN on SiC Power Amplifier Module) et le WSGPA01-V1 (10 W, 5 GHz GaN on SiC General Purpose Power Amplifier).
WS1A3940-V1
Module amplificateur de puissance 3700-3980 MHz, 39,5 dBm GaN sur SiC
Le WS1A3940 est un module amplificateur de puissance Doherty asymétrique (PAM) intégrant des transistors MACOM GaN sur SiC HEMT avec des réseaux d'adaptation et de polarisation avancés sur un substrat multicouche laminé avec une technologie de dissipation thermique avancée. Le PAM a été conçu pour fonctionner entre 3700 MHz et 3980 MHz, avec des tensions d'alimentation allant jusqu'à 50 V, à des niveaux de puissance de sortie moyens de 8 à 10 W avec des signaux LTE et 5G NR à facteur de crête réduit et numériquement pré-distordu avec des largeurs de bande instantanées de 200 MHz ou plus. Il est logé dans un boîtier LGA (land grid array) de 6 mm x 6 mm.
- Caractéristiques et avantages
- Gain : 18 dB
- Efficacité : 19
- Tension de fonctionnement : 48 V
- Type d'emballage : Plastique
WSGPA01-V1
Amplificateur de puissance polyvalent 10 W, 5 GHz GaN sur SiC
- Caractéristiques et avantages
- Gain : 18 dB
- Efficacité : 19
- Tension de fonctionnement : 48 V
- Type d'emballage : Plastique
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