MACOM bietet ein umfangreiches Portfolio an GaN-auf-SiC-Leistungstransistoren für die Entwicklung von Mobilfunksendern, die alle globalen Standards und Frequenzbänder unterstützen. Die Produktpalette umfasst den WS1A3940-V1 (3700-3980 MHz, 39,5 dBm GaN on SiC Power Amplifier Module) und den WSGPA01-V1 (10 W, 5 GHz GaN on SiC General Purpose Power Amplifier).
WS1A3940-V1
3700-3980 MHz, 39,5 dBm GaN auf SiC Leistungsverstärkermodul
Der WS1A3940 ist ein asymmetrisches Doherty-Leistungsverstärkermodul (PAM), das MACOM-GaN-auf-SiC-HEMT-Transistoren mit fortschrittlichen Anpassungs- und Vorspannungsnetzwerken auf einem mehrlagigen Laminatsubstrat mit fortschrittlicher Wärmeableitungstechnologie integriert. Das PAM wurde für den Betrieb von 3700 MHz bis 3980 MHz mit Versorgungsspannungen von bis zu 50 V bei einer durchschnittlichen Ausgangsleistung von 8 bis 10 W mit reduziertem Crest-Faktor und digital vorverzerrten LTE- und 5G NR-Signalen mit Momentanbandbreiten von 200 MHz oder mehr entwickelt. Er ist in einem 6 mm x 6 mm großen LGA-Gehäuse (Land Grid Array) untergebracht.
- Merkmale und Vorteile
- Verstärkung: 18 dB
- Wirkungsgrad: 19%
- Betriebsspannung: 48 V
- Verpackungsart: Kunststoff
WSGPA01-V1
10 W, 5 GHz GaN auf SiC Allzweck-Leistungsverstärker
- Merkmale und Vorteile
- Verstärkung: 18 dB
- Wirkungsgrad: 19%
- Betriebsspannung: 48 V
- Verpackungsart: Kunststoff
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