Dans l'industrie de la défense, la communication n'est pas seulement nécessaire, c'est une bouée de sauvetage. Les transistors RF de NXP ont fait la preuve de leur robustesse et de leur fiabilité dans les environnements les plus difficiles.
Le MMRF5018HSR5 est maintenant en production et disponible pour les commandes. Le nouveau transistor de puissance RF large bande MMRF5018HSR5 de 125 W CW est destiné à un fonctionnement large bande optimisé jusqu'à 2700 MHz et comprend une adaptation d'entrée pour des performances de bande passante étendues. Grâce à son gain élevé et à sa robustesse, ce dispositif convient parfaitement aux applications CW, impulsionnelles et RF à large bande.
MMRF5018HSR5
1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V Transistor GaN de puissance RF à large bande
Caractéristiques
Applications
Idéal pour les applications militaires finales, y compris les suivantes :
Amplificateurs à bande étroite et à large bande multi-octave
- Radar
- Jammers
- Essais CEM
Convient également aux applications commerciales :
- Radios mobiles publiques, y compris les radios des services d'urgence
- Industriel, scientifique et médical
- Amplificateurs de laboratoire à large bande
- Infrastructure cellulaire sans fil
Performances typiques entre 450 et 2700 MHz
VDD = 50 Vdc,TA = 25°C,IDQ = 200 mA
Fréquence (MHz) | Type de signal | Pout(W) | Gps (dB) | ηD (%) | 450-2700(1) | CW | 100 CW | 12.0 | 40.0 |
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MMRF5018HS-450 (EVB) Carte d'évaluation
Numéro de pièce | Bande de fréquence / Puissance | Description du conseil d'administration | MMRF5018HS-450 (EVB) | 450-2700 MHz, 125 W | Démo compacte à large bande passante utilisant une architecture microruban |
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Ressources supplémentaires Ressources
