Nel settore della difesa, la comunicazione non è solo necessaria, ma è un'ancora di salvezza. I transistor RF di NXP si dimostrano robusti e affidabili negli ambienti più difficili.
L'MMRF5018HSR5 è ora in produzione e disponibile per gli ordini. Il nuovo transistor di potenza a banda larga RF 125 W CW MMRF5018HSR5 è ottimizzato per il funzionamento a banda larga fino a 2700 MHz e include l'adattamento in ingresso per prestazioni di larghezza di banda estesa. Grazie all'elevato guadagno e all'elevata robustezza, questo dispositivo è ideale per applicazioni CW, a impulsi e RF a banda larga.
MMRF5018HSR5
1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V Transistor GaN di potenza RF widebnd
Caratteristiche
Applicazioni
Ideale per applicazioni finali militari, tra cui le seguenti:
Amplificatori a banda stretta e a banda larga multi-ottava
- Radar
- Disturbatori
- Test EMC
Adatto anche per applicazioni commerciali:
- Radio mobili pubbliche, comprese le radio dei servizi di emergenza
- Industriale, scientifico e medico
- Amplificatori da laboratorio a banda larga
- Infrastruttura cellulare wireless
Prestazioni tipiche a 450-2700 MHz
VDD = 50 Vcc,TA = 25°C,IDQ = 200 mA
Frequenza (MHz) | Tipo di segnale | Pout(W) | Gps (dB) | ηD (%) | 450-2700(1) | CW | 100 CW | 12.0 | 40.0 |
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MMRF5018HS-450 (EVB) Scheda di valutazione
Numero di parte | Banda di frequenza / Potenza | Descrizione della scheda | MMRF5018HS-450 (EVB) | 450-2700 MHz, 125 W | Dimostrazione compatta della massima larghezza di banda con architettura a microstriscia |
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Ulteriori Risorse