- A3G26D055NT4
Le système NXP A3G26D055N est un transistor GaN discret de puissance RF 100-2690 MHz, logé dans un boîtier plastique surmoulé DFN 7 x 6,5. Son rendement inégalé permet d'utiliser une large gamme de fréquences.
Ce dispositif A3G26D055N sub-6 GHz fonctionne dans la bande cellulaire 2,6 GHz, à 39 dBm et à 8 W de puissance moyenne. Il peut être utilisé pour les unités radio MIMO massives 5G (64T64R) ainsi que pour les bandes cellulaires inférieures à 1 GHz en tant que pilote pour les unités radio macro telles que les systèmes d'antennes 4T4R.
Solution GaN polyvalente pour divers marchés
- L'infrastructure cellulaire
Bande cellulaire 2,6 GHz 64t64R Unités radio 5G mMIMO (39 dBm/8 W de puissance moyenne)
<1 GHz Cellular Bands Driver for macro radio units (ex: 4T4R)
- Énergie RF
Bande ISM de 2,45 GHz. Pilote RF Energy pour les applications de cuisson, industrielles, de chauffage et de soudage. Etage final de faible puissance RF Energy (25 W CW) pour les applications médicales et industrielles.
- Communications à large bande
Communications tactiques à large bande 100-2800 MHz. 25 W CW large bande à faible puissance à l'étage final ou pilote pour MRF5014H/5018H
En rapport Contenu

Découvrez les produits et solutions innovants présentés sur notre stand IMS2025
Vous n'avez pas pu venir en personne ? Vous pouvez toujours découvrir les produits et solutions présentés sur notre stand.

Nouvelle famille de transistors Macro GaN de puissance RF de NXP
Le portefeuille de macro-gaN de puissance RF de NXP comprend des transistors RF de haute puissance conçus pour les têtes radio distantes (RRH) dans les stations de base cellulaires.

Amplificateurs RF des principaux fabricants
Richardson RFPD inventorie et prend en charge un large portefeuille de dispositifs de transmission RF provenant des principaux fabricants.