Découvrez le tout dernier commutateur RF UltraCMOS+™ SP4T de pSemi, qui offre une faible perte d'insertion, une isolation élevée, une linéarité exceptionnelle et un temps de stabilisation rapide pour un routage efficace des signaux RF.
PE42448 de pSemi
Le PE42448 est un commutateur RF SP4T amélioré par la technologie HaRP™ qui prend en charge une gamme de fréquences allant de 10 MHz à 6 GHz. Il offre une perte d'insertion extrêmement faible et une linéarité élevée avec une capacité de gestion de puissance d'entrée élevée, ce qui rend cet appareil idéal pour la formation de faisceaux analogiques hybrides et dans les applications 5G massive MIMO (multi-entrées multi-sorties). Aucun condensateur de blocage n'est nécessaire si aucune tension continue n'est présente sur les ports RF. Le PE42448 est fabriqué selon le procédé UltraCMOS+ de pSemi, une forme avancée brevetée de la technologie silicium sur isolant (SOI).
Caractéristiques principales
- Faible perte d'insertion :
- 0,42 dB à 2,6 GHz typique
- 0,6 dB à 3,8 GHz typique
- Haute linéarité IIP3 : 88,5 dBm
- Puissance admissible élevée : 39,5 dBm RMS, 11 dBm PAR
- Température de fonctionnement +115 °C
- Emballage : LGA 20 broches 4 x 4 mm
Diagramme fonctionnel
Applications
- Frontal RF hybride analogique à formation de faisceaux
- Système d'antennes actives (AAS) MIMO massif 5G
- 4G/4.5G TD-LTE macro/micro cellule/RRH
Spécifications
Description | Commutateur RF UltraCMOS+™ SP4T |
|---|---|
Fréq. min. |
10 MHz |
Fréq. max. | 6 GHz |
IL typique max. (dB) | 3.0 |
Min Typ. IL (dB) | 0.25 |
Iso typique max. (dB) | 45.0 |
Min Typ. Iso (dB) | 16.0 |
P1dB/P0,1dB (dBm) | 50.5 |
IIP3 (dBm) | 88,5 dBm |
Puissance maximale nominale (dBm) | 39.5 |
Température maximale (ºC) | +115 °C |
Gamme VDD (V) | 4,5–5,5 |
Temps de commutation | 3,0 µs |
ESD HBM (V) | 1500 |
Paquet (mm) | 4×4 |
Paquet | 20 L LGA |
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