探索 pSemi最新推出的UltraCMOS+™ SP4T射频开关，具备低插入损耗、高隔离度、卓越线性度及快速建立时间，实现高效射频信号路由。
主要功能
- 插入损耗低：
- 2.6 GHz时典型值为0.42 dB
- 典型值为3.8 GHz时0.6 dB
- 高线性度 IIP3：88.5 dBm
- 高功率处理能力：39.5 dBm 均方根功率，11 dBm 峰均功率比
- +115 °C 工作温度
- 封装：20引脚 4×4毫米 LGA
功能图
应用
- 模拟混合波束成形射频前端
- 5G大规模MIMO有源天线系统（AAS）
- 4G/4.5G TD-LTE 宏基站/微基站/远程射频头
规格
描述 | UltraCMOS+™ SP4T 射频开关 |
|---|---|
最小频率 |
10兆赫 |
最大频率 | 6 GHz |
最大典型输入电平（dB） | 3.0 |
最小典型值 IL (dB) | 0.25 |
最大典型等效声压级 (dB) | 45.0 |
最小典型等效声压级 (dB) | 16.0 |
P1dB/P0.1dB (dBm) | 50.5 |
IIP3（分贝毫瓦） | 88.5 dBm |
最大功率额定值（dBm） | 39.5 |
最高温度（摄氏度） | +115 °C |
VDD 范围 (V) | 4.5–5.5 |
切换时间 | 3.0 微秒 |
静电放电（ESD）高带宽模组（V） | 1500 |
包装（毫米） | 4×4 |
包装 | 20升 LGA |
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