Les tubes à vide utilisés dans les émetteurs à ondes millimétriques actuels sont de plus en plus menacés par les HEMT GaN. Yifeng Wu et Primit Parikh, de Cree, mènent la charge en GaN avec des conceptions qui intègrent des plaques de champ, des couches tampons dopées au fer et une fine couche intermédiaire d'AlN pour délivrer une puissance record à 30 GHz.
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