Caratterizzazione di un modulo di potenza SiC da 62 mm con driver di gate di commutazione aumentati da AgileSwitch

Caratterizzazione di un modulo di potenza SiC da 62 mm con driver di gate di commutazione aumentati da AgileSwitch

7 febbraio 2021

Driver di gate, Carburo di silicio, Moduli di potenza in carburo di silicio

La commutazione di un modulo di potenza MOSFET SiC crea due problemi significativi che devono essere affrontati per ottimizzare le prestazioni del dispositivo: l'overshoot della tensione di spegnimento e il ringing. Questi due problemi parassiti devono essere controllati mantenendo una commutazione efficiente.

La linea AgileSwitch® di Microchip di prodotti brevettati per l'azionamento di gate risolve questi problemi, controllando il di/dt di disattivazione variando il livello di tensione del gate e il tempo di permanenza a uno o più livelli intermedi durante la disattivazione. Questo processo viene tipicamente definito Augmented Turn-Off™ o ATOff.

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