Centro di conoscenza sull'accumulo di energia e la conversione di potenza

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Wolfspeed sta ora ampliando le opzioni di progettazione dei sistemi rilasciando commercialmente un pacchetto ben noto pacchetto raffreddato dall'alto per i mercati automobilistico e industriale.
Che si tratti di SiC o GaN, i materiali ad ampio bandgap stanno alimentando le scoperte del futuro nei veicoli elettrici, nelle energie rinnovabili e nell'elettronica di nuova generazione con efficienza e prestazioni senza pari.
Questo articolo esplora i requisiti chiave per la progettazione di gate driver isolati ottimizzati per i dispositivi WBG, evidenziando i progressi critici che migliorano le prestazioni, l'efficienza e l'affidabilità.
Le schede di valutazione sono essenziali per la valutazione delle prestazioni dei componenti. I nostri esperti di progettazione ed Exeling hanno collaborato per creare una scheda di valutazione GaN half-bridge.
Questo rapporto aggiorna l'ARM, dettagliando lo stato attuale del mercato e della tecnologia WBG, i cambiamenti nei temi della roadmap...
Questo libro bianco illustra la tecnologia MOSFET al carburo di silicio (SiC) di quarta generazione di Wolfspeed, progettata per applicazioni elettroniche ad alta potenza.
I semiconduttori di potenza raffreddati dall'alto stanno guadagnando interesse nella comunità dei progettisti di elettronica di potenza. Il miglioramento della...
Questo articolo fornisce una revisione completa dello stato attuale dei supercondensatori e mette in evidenza i fattori chiave di progettazione che influenzano in modo significativo l'affidabilità di questi sistemi. che hanno un impatto significativo sull'affidabilità di questi sistemi.
In questa Tech Chat, i rappresentanti di Richardson RFPD e di Exeling s.r.l. esaminano una scheda di valutazione a mezzo ponte GaN sviluppata congiuntamente dalle due aziende.
Razvan Rusu, direttore tecnico globale di Richardson RFPD, condivide i punti salienti dei suoi 35 anni di carriera, tra cui...
I dispositivi elettronici che si trovano in prossimità o condividono conduttori comuni sono suscettibili di interferenze elettromagnetiche (EMI)...
In questa Tech Chat discutiamo di come le emissioni EMI del carburo di silicio siano paragonabili a quelle del silicio e dei vantaggi che i moduli SiC di Wolfspeed offrono per compensare queste emissioni.
Scoprite come i gate driver isolati ad alte prestazioni di Skyworks e i dispositivi GaN da 100V-150V di Innoscience sono all'avanguardia nella generazione di amplificatori audio ad alta fedeltà.
Il carburo di silicio sta consentendo un passaggio globale agli azionamenti per motori industriali a bassa tensione incorporati, dove l'azionamento e il motore sono combinati in un'unica...
Guardate la tech chat qui sotto, con la partecipazione del FAE di Richardson RFPD Michele Sclocchi e del Prof. Nicola Femia, presidente di IPERA S.r.l., che illustra il nuovo corso sull'alimentazione GaN che si terrà il 30 maggio presso l'Airport Hotel Bologna in Italia.
Questo articolo tecnico mette in evidenza le soluzioni di isolamento di Skyworks e, in particolare, i progetti di caricabatterie per veicoli elettrici con flussi di potenza bidirezionali.
La fonte di alimentazione AMR deve soddisfare requisiti comuni, indipendentemente dal suo utilizzo, tra cui un'autonomia relativamente lunga e la facilità e velocità di ricarica.
L'Unione Europea ha fissato l'obiettivo a lungo termine di diventare neutrale dal punto di vista climatico entro il 2050. Con questo obiettivo in mente, quali nuove tecnologie e soluzioni porteranno l'Europa al traguardo?
La tecnologia mSiC di Microchip ha dimostrato di avere un'eccellente stabilità dell'ossido di gate, un vantaggio piuttosto utile per le applicazioni ad alta potenza.
Poiché si caricano rapidamente, i supercondensatori consentono a un AGV di operare senza interruzioni, riducendo i tempi di fermo e aumentando l'efficienza operativa.

Supporto alla progettazione di energia e potenza

Dateci l'opportunità di valutare il vostro progetto e di aiutarvi a portare la vostra visione sul mercato più velocemente.

Il nostro team di esperti

Il nostro team di ingegneri applicativi globali è disponibile a rispondere alle vostre domande per garantire che il progetto del vostro sistema di conversione di potenza o di accumulo di energia soddisfi le vostre aspettative di prestazioni. Se state passando dal silicio al nitruro di gallio (GaN) o al carburo di silicio (SiC), vi aiuteremo a individuare il dispositivo di commutazione più adatto per ottenere la densità di potenza e l'aumento dell'efficienza richieste dalla vostra applicazione.