Distribuzione della perdita tra gli HEMT GaN in parallelo

I transistor ad alta mobilità di elettroni (HEMT) al nitruro di gallio stanno diventando sempre più popolari nel mondo dell'elettronica grazie alle loro prestazioni superiori rispetto ai transistor tradizionali basati sul silicio. Gli HEMT GaN possono funzionare a frequenze di commutazione più elevate, consentendo alle industrie di ridurre le dimensioni dei componenti elettronici utilizzati nel sistema. Le prestazioni termiche superiori li aiutano in applicazioni ad alta potenza come i gruppi propulsori per veicoli elettrici, le linee di trasmissione e gli azionamenti dei motori.

Questa nota applicativa esamina i tipi di perdite e i modi per garantire un monitoraggio e un'analisi adeguati della distribuzione delle perdite negli HEMT GaN paralleli.