Un MOSFET SiC da 1,7 kV è una scelta eccellente per l'utilizzo di una topologia flyback a interruttore singolo in un'applicazione di alimentazione ausiliaria che richiede un ampio intervallo di tensione di ingresso. La tensione di breakdown di 1,7 kV fornisce un margine di tensione sufficiente per la tensione di ingresso di 1 kV. La resistenza di accensione specifica di un MOSFET SiC da 1,7 kV è molto più bassa di quella di un MOSFET al silicio ad alta tensione, il che consente di ridurre le dimensioni del die e la resistenza di accensione nello stesso package. Le dimensioni ridotte del die riducono inoltre in modo significativo la perdita di commutazione. Questa opzione consente all'utente di aumentare la frequenza di commutazione dell'alimentazione ausiliaria per ridurre le dimensioni e il peso del trasformatore.
Alimentazione ausiliaria per applicazioni industriali e solari Applicazioni
Caratteristiche
Applicazioni
Progetto di riferimento DISTINTA BASE
Il MSC750SMA170 incluso nella distinta base di questo progetto di riferimento fa parte della più recente famiglia di dispositivi MOSFET SiC di Microchip. Le soluzioni SiC di Microchip si concentrano su prestazioni elevate, contribuendo a massimizzare l'efficienza del sistema e a minimizzarne peso e dimensioni. La comprovata affidabilità dei SiC di Microchip garantisce inoltre l'assenza di degrado delle prestazioni nel corso della vita dell'apparecchiatura finale.
Numero di parte | Tensione (V) | Corrente (A) | Rds(on) (mΩ) | Configurazione | Tipo di confezione | MSC750SMA170B | 1700 | 7 | 750 | MOSFET SiC singolo | TO-247-3L |
|---|---|---|---|---|---|
MSC750SMA170SA | 1700 | 6 | 750 | MOSFET SiC singolo | D2PAK-7L |
MSC750SMA170S | 1700 | 6 | 750 | MOSFET SiC singolo | TO-268 |
MSC750SMA170B4 | 1700 | 7 | 750 | MOSFET SiC singolo | TO-247-4L |