Semplificare la selezione e la valutazione dei SiC

Convertitore CC/CC R23C2T25 con uscite regolate asimmetriche

I convertitori CC/CC devono spesso fornire un'alimentazione asimmetrica isolata per i driver dei gate high-side. L'isolamento più semplice (funzionale) può sopportare 1 kVDC per un secondo. Sembra impressionante, ma spesso è insufficiente.

Gli inverter high-side sono spesso flottanti a poche centinaia di volt con un controllo PWM optoisolato, quindi i gate driver necessitano di un'alimentazione isolata. Questa alimentazione isolata è tipicamente +15/-9 V per gli IGBT, +20/-5 V o +15/-3 V per i SiC e +6 V e +9 V per i GaN. Una tensione di isolamento DC/DC tipica sarebbe almeno il doppio della tensione di lavoro, ma l'elevata temperatura ambiente e i rapidi bordi di commutazione generati da questi transistor ad alta potenza sollecitano ulteriormente la barriera di isolamento.

Convertitori CC/CC ad alto isolamento da RECOM

RECOM combina le tensioni di uscita asimmetriche richieste, l'alta tensione di isolamento e la bassa capacità di isolamento in un semplice modulo convertitore CC/CC. Che si tratti di IGBT, SiC MOSFET o GaN HEMT, RECOM ha il prodotto adatto.

Driver di gate SiC

Progettate per prestazioni ottimali dei MOSFET SiC, le serie RxxP e RA3 di RECOM forniscono tensioni asimmetriche precise e uscite ad alta corrente per alimentare i dispositivi WBG dalla prima alla terza generazione con una commutazione efficiente e ad alta velocità.

Driver di gate GaN

I convertitori CC/CC RECOM delle serie RP, RxxP06S e RA3 offrono un elevato isolamento e una bassa capacità per una commutazione ottimale dei transistor GaN a +6V, con opzioni di uscita flessibili, tra cui lo split +9V per il pilotaggio del gate negativo.

Driver di gate IGBT

I convertitori CC/CC delle serie RH, RV, RP, RGZ, RKZ e RxxP di RECOM semplificano la progettazione dei driver IGBT con uscite asimmetriche +15V/-9V, sostituendo i convertitori doppi con un'unica soluzione compatta, disponibile in diversi pin-out e package.

Driver di gate SiC - Convertitori CC/CC ad alto isolamento

I convertitori DC/DC SiC gate driver da 2W di RECOM (serie RKZ, RxxP2xx, RA3, R24C2T25 e R24C2T25/R) forniscono un isolamento rinforzato fino a 6,4kVDC/1s e le tensioni asimmetriche necessarie per una commutazione efficiente dei MOSFET SiC. Le serie RxxP22005D e RKZ-xx2005D forniscono +20V/-5V per i dispositivi di prima generazione, mentre la serie RxxP21503D fornisce +15V/-3V per i MOSFET SiC di seconda generazione. Le serie compatte R24C2T25 e R24C2T25/R aggiungono uscite asimmetriche programmabili in pacchetti SMD a ingombro ridotto, mentre la serie RA3, montata su SMD, offre tre combinazioni di tensione con una maggiore capacità di corrente per massimizzare le prestazioni di commutazione su più generazioni SiC.

Numero di parte
Tensione di ingresso (V)
Tensione di uscita (V)
Potenza di uscita (W)
Isolamento (kV)
R9C1T18/R
8.5 - 18
Programmabile
3
5
R12C2T25/R
9 - 18
Programmabile
2.5
5
R12C2T12/R
9 - 18
Programmabile
2.5
5
R15C2T25/R
13.5 - 18
Programmabile
2.5
5
R24C2T25/R
21 - 27
Programmabile
2.5
5
R24C2T25
21 - 27
Programmabile
2.5
3
R05P22005D/P
5
20/-5
2
6.4
R12P21503D
12
15/-3
2
6.4
R12P22005D
12
20/-5
2
6.4
R12P22005D/P
12
20/-5
2
6.4
R15P21503D
15
15/-3
2
6.4
R15P22005D
15
20/-5
2
6.4
R15P22005D/P
15
20/-5
2
6.4
R24P21503D
24
15/-3
2
6.4
R24P21503D/P
24
15/-3
2
6.4
R24P22005D
24
20/-5
2
6.4
R24P22005D/P
24
20/-5
2
6.4
RKZ-052005D
5
20/-5
2
3
RKZ-052005D/H
5
20/-5
2
4
RKZ-052005D/HP
5
20/-5
2
4
RKZ-052005D/P
5
20/-5
2
3
RKZ-122005D
12
20/-5
2
3
RKZ-122005D/H
12
20/-5
2
4
RKZ-122005D/HP
12
20/-5
2
4
RKZ-122005D/P
12
20/-5
2
3
RKZ-152005D
15
20/-5
2
3
RKZ-152005D/H
15
20/-5
2
4
RKZ-152005D/HP
15
20/-5
2
4
RKZ-152005D/P
15
20/-5
2
3
RKZ-242005D
24
20/-5
2
3
RKZ-242005D/H
24
20/-5
2
4
RKZ-242005D/HP
24
20/-5
2
4
RKZ-242005D/P
24
20/-5
2
3
RA3-050701D/SMD
5
7/-1
3
5.2
RA3-051503D/SMD
5
15/-3
3
5.2
RA3-051505D/SMD
5
15/-5
3
5.2
RA3-052005D/SMD
5
20/-5
3
5.2
RA3-120701D/SMD
12
7/-1
3
5.2
RA3-121503D/SMD
12
15/-3
3
5.2
RA3-121505D/SMD
12
15/-5
3
5.2
RA3-122005D/SMD
12
20/-5
3
5.2
RA3-240701D/SMD
24
7/-1
3
5.2
RA3-241503D/SMD
24
15/-3
3
5.2
RA3-241505D/SMD
24
15/-5
3
5.2
RA3-242005D/SMD
24
20/-5
3
5.2

Driver GaN - Convertitori CC/CC ad alto isolamento

I convertitori CC/CC RP-xx06S e RxxP06S di RECOM forniscono +6V con elevato isolamento e bassa capacità, rendendoli ideali per i driver di transistor GaN ad alto slew-rate. Per gli ambienti più rumorosi, le versioni a +9V possono essere separate tramite uno Zener a +6V e -3V, garantendo una polarizzazione negativa sicura del gate allo spegnimento. Le serie R24C2T25 e R24C2T25/R introducono soluzioni compatte SMD con uscite asimmetriche programmabili per un preciso adattamento della tensione nelle applicazioni GaN. Per esigenze di potenza più elevate, la serie RA3 a montaggio SMD offre tre opzioni di uscita e una maggiore capacità di corrente per garantire una commutazione rapida e affidabile di dispositivi GaN e altri WBG.

Numero di parte
Tensione di ingresso (V)
Tensione di uscita (V)
Potenza di uscita (W)
Isolamento (kV)
R9C1T18/R
8.5 - 18
Programmabile
3
5
R12C2T25/R
9 - 18
Programmabile
2.5
5
R12C2T12/R
9 - 18
Programmabile
2.5
5
R15C2T25/R
13.5 - 18
Programmabile
2.5
5
R24C2T25/R
21 - 27
Programmabile
2.5
5
R24C2T25
21 - 27
Programmabile
2.5
3
R05P06S
5
6
1
6.4
R12P06S
12
6
1
6.4
R15P06S
15
6
1
6.4
R24P06S
24
6
1
6.4
RP-0506S
5
6
1
5.2
RP-1206S
12
6
1
5.2
RP-1506S
15
6
1
5.2
RP-2406S
24
6
1
5.2
RA3-050701D/SMD
5
7/-1
3
5.2
RA3-051503D/SMD
5
15/-3
3
5.2
RA3-051505D/SMD
5
15/-5
3
5.2
RA3-052005D/SMD
5
20/-5
3
5.2
RA3-120701D/SMD
12
7/-1
3
5.2
RA3-121503D/SMD
12
15/-3
3
5.2
RA3-121505D/SMD
12
15/-5
3
5.2
RA3-122005D/SMD
12
20/-5
3
5.2
RA3-240701D/SMD
24
7/-1
3
5.2
RA3-241503D/SMD
24
15/-3
3
5.2
RA3-241505D/SMD
24
15/-5
3
5.2
RA3-242005D/SMD
24
20/-5
3
5.2

Driver IGBT - Convertitori CC/CC ad alto isolamento

I convertitori CC/CC RH, RV, RP, RGZ, RKZ, RxxPxx, RxxP2xx, RA3, R24C2T25 e R24C2T25/R di RECOM sono progettati per circuiti di pilotaggio IGBT e forniscono uscite asimmetriche di +15V/-9V. Ciò elimina la necessità di due convertitori separati, semplificando i progetti e risparmiando spazio sulla scheda. La serie RA3, montata su SMD, offre tre opzioni di tensione con una corrente di uscita più elevata per una commutazione più rapida, mentre la serie compatta R24C2T25/R in un package SSOP SMD a 36 pin offre uscite doppie regolate programmabili, ampi intervalli di ingresso, isolamento rinforzato a 5kVAC e funzioni di protezione integrate, garantendo tensioni di pilotaggio del gate precise e un funzionamento affidabile nelle applicazioni IGBT.

Numero di parte
Tensione di ingresso (V)
Tensione di uscita (V)
Potenza di uscita (W)
Isolamento (kV)
R9C1T18/R
8.5 - 18
Programmabile
3
5
R12C2T25/R
9 - 18
Programmabile
2.5
5
R12C2T12/R
9 - 18
Programmabile
2.5
5
R15C2T25/R
13.5 - 18
Programmabile
2.5
5
R24C2T25/R
21 - 27
Programmabile
2.5
5
R24C2T25
21 - 27
Programmabile
2.5
3
RGZ-xx1509D
5, 12, 24
15/-9
2
3
RH-xx1509D
5, 12, 24
15/-9
1
3
RKZ-xx1509D
5, 12, 24
15/-9
2
3
RV-xx1509D
5, 12, 24
15/-9
2
6
R05P22005D/P
5
20/-5
2
6.4
R12P21503D
12
15/-3
2
6.4
R12P22005D
12
20/-5
2
6.4
R12P22005D/P
12
20/-5
2
6.4
R15P21503D
15
15/-3
2
6.4
R15P22005D
15
20/-5
2
6.4
R15P22005D/P
15
20/-5
2
6.4
R24P21503D
24
15/-3
2
6.4
R24P21503D/P
24
15/-3
2
6.4
R24P22005D
24
20/-5
2
6.4
R24P22005D/P
24
20/-5
2
6.4
RA3-050701D/SMD
5
7/-1
3
5.2
RA3-051503D/SMD
5
15/-3
3
5.2
RA3-051505D/SMD
5
15/-5
3
5.2
RA3-052005D/SMD
5
20/-5
3
5.2
RA3-120701D/SMD
12
7/-1
3
5.2
RA3-121503D/SMD
12
15/-3
3
5.2
RA3-121505D/SMD
12
15/-5
3
5.2
RA3-122005D/SMD
12
20/-5
3
5.2
RA3-240701D/SMD
24
7/-1
3
5.2
RA3-241503D/SMD
24
15/-3
3
5.2
RA3-241505D/SMD
24
15/-5
3
5.2
RA3-242005D/SMD
24
20/-5
3
5.2

Supporto alla progettazione di energia e potenza

Dateci l'opportunità di valutare il vostro progetto e di aiutarvi a portare la vostra visione sul mercato più velocemente.

Il nostro team di esperti

Il nostro team di ingegneri applicativi globali è disponibile a rispondere alle vostre domande per garantire che il progetto del vostro sistema di conversione di potenza o di accumulo di energia soddisfi le vostre aspettative di prestazioni. Se state passando dal silicio al nitruro di gallio (GaN) o al carburo di silicio (SiC), vi aiuteremo a individuare il dispositivo di commutazione più adatto per ottenere la densità di potenza e l'aumento dell'efficienza richieste dalla vostra applicazione.