- Numero di parte di fabbrica: MSC035SMA170S
La linea di prodotti MOSFET di potenza in carburo di silicio (SiC) di Microsemi aumenta le prestazioni rispetto alle soluzioni MOSFET e IGBT in silicio, riducendo al contempo il costo totale di proprietà per le applicazioni ad alta tensione.
MOSFET e IGBT al silicio, riducendo al contempo il costo totale di proprietà per le applicazioni ad alta tensione.
Il dispositivo MSC035SMA170S è un MOSFET SiC da 1700 V e 35 mΩ in un contenitore TO-268 (D3PAK).
- Caratteristiche
- Basse capacità e bassa carica di gate
- Velocità di commutazione rapida grazie alla bassa resistenza interna di gate (ESR)
- Funzionamento stabile ad alta temperatura di giunzione, TJ(max) = 175 C
- Diodo corpo veloce e affidabile
- Resistenza superiore alle valanghe
- Conforme alla direttiva RoHS
- Vantaggi
- Alta efficienza per un sistema più leggero e compatto
- Semplice da guidare e facile da mettere in parallelo
- Migliori capacità termiche e minori perdite di commutazione
- Elimina la necessità di un diodo di freewheeling esterno
- Riduzione dei costi di gestione del sistema
- Applicazioni
- Inverter fotovoltaici, convertitori e azionamenti per motori industriali
- Trasmissione e distribuzione di reti intelligenti
- Riscaldamento e saldatura a induzione
- Propulsore H/EV e caricatore EV
- Alimentazione e distribuzione di energia
Correlato Contenuto
Accumulo di energia e conversione di potenza
Moduli di potenza IGBT 7 di Microchip - Soluzioni ad alta tensione e bassa perdita per applicazioni versatili
Scoprite i versatili moduli di potenza IGBT 7 di Microchip, che offrono una maggiore capacità di corrente, perdite ridotte ed elevata efficienza in diverse opzioni di package.
20 febbraio 2025
Accumulo di energia e conversione di potenza
Progetto di riferimento per alimentazione ausiliaria a 1700 V di Microchip
Un MOSFET SiC da 1,7 kV è una scelta eccellente per l'utilizzo di una topologia flyback a interruttore singolo in un'applicazione di alimentazione ausiliaria che richiede un ampio intervallo di tensione di ingresso.
30 novembre 2023
Accumulo di energia e conversione di potenza
Liberate tutte le capacità del carburo di silicio - Ottimizzazione rapida con il controllo digitale
Con i driver di gate digitali SiC di Microchip, gli utenti sperimentano una riduzione delle perdite di commutazione e una maggiore densità del sistema.
19 luglio 2023
