I progettisti di sistemi di potenza ad alta tensione hanno faticato a soddisfare le esigenze dei clienti di innovazione continua nell'uso di MOSFET e IGBT al silicio. Spesso non è possibile ottenere l'affidabilità desiderata senza sacrificare l'efficienza, né le soluzioni basate sul silicio sono in grado di soddisfare gli attuali requisiti di dimensioni, peso e costo. Con l'arrivo dei MOSFET in carburo di silicio (SiC) ad alta tensione, tuttavia, i progettisti hanno ora l'opportunità di migliorare le prestazioni risolvendo tutte le altre sfide.
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