Diodi, transistor e tiristori
Mentre il nitruro di gallio e il carburo di silicio sono tecnologie di tendenza che Richardson RFPD supporta pienamente, riconosciamo anche le continue esigenze dei clienti per quanto riguarda gli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors), gli HVIGBT, i raddrizzatori e i tiristori al silicio. Grazie alla nostra rete di partner alleati, possiamo anche supportare le vostre esigenze di moduli di potenza e assemblaggio personalizzati. Scegliete i prodotti dei leader del settore Electronic Devices (EDI), Hitachi Energy, Microchip, Mitsubishi (solo per le Americhe), Powerex, Semikron, Vincotech e Wayon.
Abbiamo in stock e supportiamo i seguenti prodotti Diodi, transistor e tiristori
Energia Hitachi
I nuovi moduli LoPak da 1200 V hanno lo stesso DNA di alta affidabilità e robustezza dell'intera famiglia di semiconduttori ad alta potenza di Hitachi ABB Power Grids.
- Basamento in Cu trattato in modo speciale, arco controllato e traferro ridotto verso il dissipatore di calore
- Distanziatori per la saldatura del substrato, spessore omogeneo della saldatura e minore delaminazione
- Connessioni ausiliarie a pressione I pin ausiliari a pressione consentono un collegamento senza saldature alla scheda del gate-driver.
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