Accelerazione del time-to-market con i driver di gate mSiC™ plug-and-play

L'elettrificazione di tutto spinge a migliorare le prestazioni, l'affidabilità e i costi dei sistemi. I limiti dei dispositivi al silicio (Si) stanno portando all'adozione di tecnologie ad ampio bandgap come il carburo di silicio (SiC) per affrontare queste sfide. Se da un lato il SiC offre una serie di vantaggi, dall'altro introduce diverse sfide progettuali, come le interferenze elettromagnetiche (EMI), il surriscaldamento e le condizioni di sovratensione, che possono essere affrontate scegliendo il giusto gate driver.

Con l'ampia adozione della tecnologia SiC nelle applicazioni a media e alta tensione, la progettazione del sistema aumenta la complessità e può richiedere più tempo, ritardando potenzialmente in modo significativo il time to market. Queste sfide sono ben affrontate con la famiglia di gate driver Plug-and-Play mSiC™ di Microchip, che è stata progettata come soluzione chiavi in mano per "funzionare subito".

Punti di forza

• Scoprite i vantaggi di un Driver per gate plug-and-play
• Scoprite i vantaggi in termini di progettazione e prestazioni dell'utilizzo del driver per gate mSiC™ Plug-and-Play
• Esaminare le caratteristiche che differenziano questa famiglia di driver per gate dalle altre opzioni disponibili Esplorare la famiglia di driver per gate mSiC™ da 3,3 kV Plug-and-Play

Altoparlante

Pradeep Kulkarni, Product Marketing Manager, Business Unit Carburo di Silicio, MISUMI

Pradeep Kulkarni è un product marketing manager dell'unità aziendale Silicon Carbide di Microchip e ha sede a Bangalore, in India. Dirige le attività di marketing per i gate driver mSIC™ dell'azienda. Pradeep vanta oltre 13 anni di esperienza in altre aziende leader nel settore dei semiconduttori di potenza nei ruoli di gestione dei prodotti, marketing dei prodotti e sviluppo commerciale. Ha conseguito una laurea in ingegneria elettronica presso l'Università di Mumbai e un EMBA in Product Leadership presso la CMR University.