Gate Drive per il carburo di silicio - Ottenere le migliori prestazioni dal SiC con soluzioni di Gate Drive adeguate

Il carburo di silicio consente di realizzare sistemi di conversione di potenza più efficienti, più piccoli e più capaci, ma per ottenere il massimo da questi dispositivi ad ampio bandgap è necessaria una selezione intenzionale di tutto ciò che circonda l'interruttore.

Una delle parti più importanti del sistema è il gate driver. La soluzione di pilotaggio del gate influisce direttamente sull'efficienza di commutazione del MOSFET SiC e può avere caratteristiche che rendono i sistemi più affidabili, come il Miller Clamp e la protezione da cortocircuito.

Dalle caratteristiche di protezione oggi disponibili sul mercato alla robustezza delle soluzioni di gate driver isolati, questo corso di formazione illustrerà le complessità delle esigenze del carburo di silicio nei gate driver, la varietà di gate driver disponibili e i vantaggi delle varie caratteristiche che i gate driver possono offrire al progettista del sistema.

I partecipanti impareranno a conoscere:

• Vantaggi dei dispositivi al carburo di silicio nei sistemi di potenza
• Perché abbiamo bisogno di driver di gate per i MOSFET di potenza
• Particolari del pilotaggio dei MOSFET al carburo di silicio
• Immunità ai transitori di modo comune
• Dimensionamento dell'alimentazione del gate driver e sua implementazione
• Perché sono consigliate determinate tensioni di pilotaggio del gate e considerazioni sull'applicazione
• Vantaggi delle funzioni aggiuntive del gate driver per la progettazione del sistema
• Bloccaggio Miller, protezione da cortocircuito, segnalazione dei guasti
• Quali sono i gate driver da prendere in considerazione a seconda dell'applicazione, tra cui l'offerta di Analog Devices
• Risorse disponibili per la progettazione di driver di gate in carburo di silicio e SiC.