3 agosto 2022 – GENEVA, Illinois: Richardson RFPD, Inc., una società del gruppo Arrow Electronics, ha annunciato oggi la disponibilità e il supporto completo alla progettazione di un nuovo amplificatore ad alta potenza in nitruro di gallio prodotto da United Monolithic Semiconductors.
Il CHA8312-99F è un HPA GaN a due stadi che opera da 8 a 12 GHz e fornisce una potenza di uscita di 17 W, un'efficienza aggiunta del 50% e un guadagno di 26 dB per i piccoli segnali. Il componente è sviluppato su un robusto processo GaN su SiC HEMT da 0,15 μm di lunghezza del gate ed è disponibile come die nudo.
Il nuovo dispositivo è ideale per le applicazioni di difesa ed è anche adatto a un'ampia gamma di applicazioni e sistemi a microonde come radar, apparecchiature di test e comunicazione.
PER I DETTAGLI CONTATTARE
DAVE SILVIUS
Direttore, Marketing strategico
P: 630 262 6800
dsilvius@richardsonrfpd.com
Altre caratteristiche chiave del CHA8312-99F includono:
- Pout: +42,5 dBm a +23 dBm di potenza di ingresso
- Perdita di ritorno in ingresso: >17 dB
- Perdita di ritorno in uscita: >11 dB
- Bias DC: 20 V @ 320 mA
- Dimensioni del chip: 3,99 mm x 3,12 mm x 0,07 mm
Per ulteriori informazioni o per acquistare questo prodotto online, visitate la pagina web CHA8312-99F.
Il dispositivo è disponibile anche chiamando il numero 1-800-737-6937 (in Nord America) o trovando un tecnico di vendita locale (in tutto il mondo) all'indirizzo Local Sales Support.
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