Cosa c'è di nuovo
NXP® Semiconductors Semiconductors ha annunciato i nuovi moduli front-end RX (FEM) BTS7202 e i pre-driver BTS6403/6305 a più alta potenza per il 5G massive multiple-input multiple-output (MIMO), che raggiungono i 20 W per canale. Sviluppati e implementati nel processo al germanio di silicio (SiGe) di NXP, i dispositivi funzionano con un consumo di corrente modesto per ridurre i costi operativi degli operatori di rete mobile (MNO). Offrono inoltre una migliore linearità e una figura di rumore ridotta per supportare una migliore qualità del segnale 5G.
Perché è importante
Mentre le reti 5G continuano a essere costruite in tutto il mondo, gli MNO stanno sfruttando sempre più le soluzioni 32T32R per migliorare la copertura massive MIMO nelle aree urbane e suburbane meno dense. L'utilizzo di soluzioni 32T32R richiede l'impiego di dispositivi di maggiore potenza che aumentano il livello di potenza per canale al fine di raggiungere la potenza totale necessaria per garantire una forte copertura del segnale 5G.
Correlato Contenuto
Scoprite i prodotti e le soluzioni innovative in mostra presso il nostro stand IMS2025
Non avete potuto partecipare di persona? Potete comunque esplorare i prodotti e le soluzioni presentate al nostro stand.
Nuova famiglia di transistor RF di potenza Macro GaN di NXP
Il portafoglio di macro GaN di potenza RF di NXP comprende transistor RF ad alta potenza progettati per le teste radio remote (RRH) delle stazioni base cellulari.
Amplificatori RF dei principali produttori
Richardson RFPD inventaria e supporta un ampio portafoglio di dispositivi di trasmissione RF dei principali produttori.
