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GaN in primo piano per l'avionica e i radar
Con un'esperienza decennale nel campo dei dispositivi di potenza RF, Microchip offre prodotti discreti a transistor ad alte prestazioni, basati su GaN su SiC, ad alta mobilità di elettroni (HEMT), in onda continua e pulsata, e a microonde, fino a 14 GHz, e amplificatori MMIC fino a 32 GHz, per applicazioni aerospaziali e di difesa, radar commerciali, comunicazioni e applicazioni industriali. Questi dispositivi sono disponibili in package QFN/DFN nudi, in plastica e in package ceramici a pillola e flangiati, oltre che in pallet modulari con ingresso/uscita da 50 Ω.
Scarica la guida completa Guida alla selezione di GaN di Microchip
Transponder avionici
1011GN-1200V: 1030-1090 MHz GaN HEMT
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Radar primario in banda L
1214GN-1200VG: HEMT GaN da 1,2-1,4 GHz
1011GN-1200V: 1030-1090 MHz GaN HEMT
Il 1214GN-1200VG è un transistor GaN su SiC HEMT di classe AB, accoppiato internamente, in grado di fornire un guadagno di oltre 16,3 dB, un'efficienza di drenaggio del 53%, una potenza di uscita RF pulsata di 1200 W con un'ampiezza dell'impulso di 300 μs e un fattore di carico del 10% nella banda dei 1200-1400 MHz. Il transistor è dotato di pre-match interno per garantire prestazioni ottimali ed è ideale per l'uso negli stadi di uscita primari del radar a impulsi in banda L.
Radar commerciali e A&D
ICP0349P: amplificatore di potenza MMIC GaN a 2 stadi da 2,7-3,5 GHz
L'ICP0349P è un amplificatore di potenza a 2 stadi, accoppiato a 50 ohm con condensatori di blocco CC integrati e confezionato in un QFN di plastica. Realizzato con un processo GaN su SiC da 0,25um, il dispositivo funziona da 2,7 a 3,5 GHz con una potenza di uscita di oltre 48 dBm e un PAE del 60% ed è adatto ad applicazioni radar commerciali e di difesa.
Radar in banda S
2729GN-300VP: Pallet amplificatore di potenza da 300 W, 50 V, 2700-2900 MHz
Il 2729GN-300VP è un prodotto pallet con ingresso e uscita abbinati a 50 Ohm su cui viene utilizzato il transistor 2729GN-300V. La costruzione del pallet impiega le migliori pratiche di produzione, che garantiscono la massima qualità e affidabilità, con costi complessivi dei sistemi più bassi.
SATCOM, A&D, 5G
ICP2840-1-110I: MMIC PA GaN da 27,5-31 GHz 9 W
L'ICP2840 è un amplificatore di potenza MMIC bilanciato in banda Ka che raggiunge 39 dBm di potenza di uscita satura in funzionamento CW. Realizzato con tecnologia GaN SiC, l'ICP2840 opera da 27,5 a 31 GHz con un PAE del 28% e un guadagno di piccolo segnale di 24 dB.
Sistemi di comunicazione e radar
ICP1639-1-110I: amplificatore di potenza RF da 14,5-17,5 GHz
L'ICP1639-DIE è un amplificatore di potenza MMIC in GaAs a tre stadi con una frequenza operativa di 14,5-17,5 GHz. Il PA ha una potenza di uscita satura pulsata di 39 dBm e un guadagno di 20 dB.
