Transistor RF GaN ad alta velocità di NXP

L'A3G26D055N può essere utilizzato in diversi mercati.

NXP A3G26D055N è un transistor GaN discreto di potenza RF da 100 a 2690 MHz, alloggiato in un contenitore plastico sovrastampato DFN 7 x 6,5. La sua uscita ineguagliabile consente di utilizzare un'ampia gamma di frequenze.

Questo dispositivo A3G26D055N sub-6 GHz opera nella banda cellulare a 2,6 GHz, a 39 dBm e a 8 W di potenza media. Può essere utilizzato per le unità radio 5G massive MIMO (64T64R) e per le bande cellulari sotto 1 GHz come driver per le unità radio macro come i sistemi di antenna 4T4R.

Soluzione GaN versatile per diversi mercati

Banda cellulare a 2,6 GHz 64t64R Unità radio 5G mMIMO (39 dBm/8 W di potenza media)

<1 GHz Cellular Bands Driver for macro radio units (ex: 4T4R)

Banda ISM 2,45 GHz. Driver RF Energy per applicazioni di cucina, industriali, riscaldamento/saldatura. RF Energy a bassa potenza (25 W CW) per applicazioni mediche e industriali.

Comunicazioni tattiche a banda larga 100-2800 MHz. Driver o stadio finale a bassa potenza da 25 W CW a banda larga per MRF5014H/5018H

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