I vantaggi degli amplificatori RF Wolfspeed GaN-on-SiC sono stati ben documentati: offrono un'eccezionale densità di potenza, affidabilità e una migliore efficienza rispetto alle controparti tradizionali basate su GaAs. In questo lavoro, un amplificatore RF basato su GaN-on-SiC viene ottimizzato per applicazioni troposcatter a 4,4-5,0 GHz.

Questo documento esamina la selezione dei componenti, la progettazione in ambiente simulato e l'implementazione del circuito simulato nell'hardware. L'obiettivo principale dello sviluppo era quello di produrre un amplificatore di potenza compatto da implementare in un front-end RF progettato da Richardson RFPD. La Figura 1, qui sotto, utilizza come esempio un PA SATCOM in banda C, delineato in un riquadro giallo. Questo PA troposcatter è in grado di erogare 50 W CW da 4,4 a 5 GHz e ha un requisito di linearità inferiore al 3% di EVM con un rapporto di potenza media-picco di 10 dB.