在庫ありイノサイエンス INN100W032A

パッケージサイズ3.5 x 2.13 mmのはんだバーWLCSPのGaN on SiliconエンハンスメントモードHEMT
INN100W032A: 100VエンハンスメントモードGaNパワートランジスタ 

INN100W032A: 100VエンハンスメントモードGaNパワートランジスタ 

について INN100W032Aは、D級オーディオ、高周波DC-DCコンバータ、モーター・ドライブなどに使用される100Vエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタです。

イノサイエンスは、卓越した性能、信頼性、耐久性を提供し、常に高品質の結果を保証します。

INN100W032A - イノサイエンス

3.5mm×2.13mmパッケージのソルダーバーWLCSPにGaN-on-Siliconエンハンスメントモード高電子移動度トランジスタ(HEMT)を搭載。

VDS,max
100V
RDS(オン)マックス
3.2mΩ
RDS(on)Typ
2.4mΩ

特徴

  • SiC上のGaN EモードHEMT技術
  • 非常に低いゲート電荷
  • 超低抵抗
  • 非常に小さなパッケージサイズ
  • 逆回収チャージゼロ
  • アプリケーション

  • 同期整流
  • D級オーディオ
  • 高周波DC-DCコンバータ
  • 通信基地局
  • モータードライバー
  • 関連 コンテンツ

    エネルギー貯蔵と電力変換

    ISG610x - 700V SolidGaN™ 電流センス付き

    リチャードソンRFPDから入手可能なイノサイエンスの700V集積デバイス・ファミリーは、パワーGaN HEMT、ドライバ、電流センス、その他の機能を単一の業界標準QFN 6x8mmパッケージ内に組み合わせています。

    詳細 "

    エネルギー・電力設計サポート

    あなたのプロジェクトを評価し、あなたのビジョンをより早く市場に出すお手伝いをする機会を私たちに与えてください。

    専門家チームについて

    当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム(GaN)または炭化ケイ素(SiC)への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。