小型高性能SolidGaNドライバ内蔵ハーフブリッジ・ソリューション 

イノサイエンスの ISG3201は、わずか5×6.5×1.1mmのLGAパッケージに、2個の100V、3.2mΩ InnoGaN HEMTと必要なドライバー回路を含む完全なハーフブリッジ回路です。

についてISG3201は、34 A の連続電流能力、ゼロ逆回復電荷、超低オン抵抗を備えています。高集積化により、ゲートループとパワーループの寄生容量は1nH以下に抑えられています。その結果、スイッチング・ノードの電圧スパイクが最小限に抑えられます。ハーフブリッジGaN HEMTのターンオン速度は、抵抗1本で調整可能です。