特許取得済みのAugmented Switching™技術を採用したマイクロチップ社のSiCデジタルゲートドライバは、従来のアナログドライバを使用した場合に発生する二次的な影響（ノイズ/EMI、短絡、過電圧、過熱）に対処します。
マイクロチップ社のSiCデジタル ゲート ドライバは、スイッチング損失の低減とシステム密度の向上を実現します。このドライバは完全にソフトウェア設定可能で、誤動作を防止し、リンギング、電磁干渉（EMI）、SiCおよびIGBTパワーモジュールのオーバーシュートとアンダーシュートを軽減します。
Richardson RFPDのグローバルFAEチームと連携し、Microchip社だけでなく、業界をリードする多くの企業のSiCモジュールとのコンフィギュレーションをサポートします。
最低のシステムコスト
市場最速
最も低いリスク
SiC&IGBTゲートドライバモジュール
SiCプラグアンドプレイ・ゲート・ドライバ
- 62 mm SiC MOSFETモジュールに対応
- アプリケーションの要件に合わせて設定可能なソフトウェア
- 温度および絶縁高電圧モニタリング
- 自動車用コンポーネント
IGBTゲートドライバ
- マルチレベルのターンオフ時間と電圧レベル
- 脱飽和時間と電圧レベル
- ゲート駆動電圧 +15V/-10V
- ピークゲート電流±30A
- 3.3 kVまでのIGBT
- シングル・チャンネル、出力7W
開発キット
- 1200Vおよび1700VのSiCパワーモジュールに対応
- インテリジェント・コンフィギュレーション・ツール（ICT）付属
- パワーモジュール付きとパワーモジュールなしのキットがあります。
