Die digitalen SiC-Gate-Treiber von Microchip mit der patentierten Augmented Switching™-Technologie beheben die Sekundäreffekte, die bei der Verwendung herkömmlicher analoger Treiber auftreten: Rauschen/EMI, Kurzschluss, Überspannung und Überhitzung.
Mit den digitalen SiC-Gate-Treibern von Microchip können Anwender Schaltverluste reduzieren und die Systemdichte verbessern. Sie sind vollständig softwarekonfigurierbar, verhindern Fehlschaltungen und vermindern Klingeln, elektromagnetische Störungen (EMI) sowie Über- und Unterschwingen in SiC- und IGBT-Leistungsmodulen.
Arbeiten Sie mit dem globalen FAE-Team von Richardson RFPD zusammen, um die Konfiguration mit SiC-Modulen von vielen der führenden Namen der Branche zusätzlich zu Microchip zu unterstützen.
Niedrigste Systemkosten
Am schnellsten auf dem Markt
Geringstes Risiko
SiC- und IGBT-Gate-Treibermodule
SiC-Gate-Treiberkerne und Moduladapterplatinen
- Software-konfigurierbare ±Vgs Gate-Spannungen
- Patentierte Augmented Switching Technologie
- Robuster Kurzschlussschutz
- Hohe Immunität gegen Rauschen
SiC-Plug-and-Play-Gate-Treiber
- Kompatibel mit 62 mm SiC-MOSFET-Modulen
- Software konfigurierbar, um die Anforderungen Ihrer Anwendung zu erfüllen
- Temperatur- und isolierte Hochspannungsüberwachung
- Komponenten in Automobilqualität
IGBT-Gate-Treiber
- Mehrstufige Abschaltzeit und Spannungspegel
- Entsättigungszeit und Spannungspegel
- Gate-Treiberspannung +15V/-10V
- Gate-Spitzenstrom ±30A
- IGBTs bis zu 3,3 kV
- Einkanalig, 7 W Ausgangsleistung
Entwicklungskits
- Kompatibel mit 1200V und 1700V SiC-Leistungsmodulen
- Intelligentes Konfigurationstool (ICT) enthalten
- Kits sowohl mit als auch ohne Leistungsmodule erhältlich
