- 製造元部品番号: 10-EY124PA016ME-LP49F18T
SiCの在庫:小型、低誘導設計の1200V、16mΩ SiCモジュール
- 特徴
- コンパクトで低誘導設計
- 高周波SiC MOSFET
- 統合NTC
- スイッチング性能を向上させるケルビンエミッタ
- オープンエミッタ構成
- 温度センサー
- 低ドレイン・ソース・オン・ステート抵抗で高ブロッキング電圧
- 高速SiC-MOSFET技術
- ラッチアップに強い
- 熱接触に優れた凸型基板
- コンパクト設計
- CTI600 ハウジング材質
- 熱機械的な押し引き力緩和
- PCBへの信頼性の高い冷間溶接接続
- PCBホールの損傷がなく、再利用が可能
- アプリケーション
- 充電ステーション
- 電源
- 溶接と切断
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