- Numéro de pièce fabricant : 10-EY124PA016ME-LP49F18T
SiC en stock : Module SiC 1200V, 16mΩ dans un design compact et faiblement inductif
- Caractéristiques
- Conception compacte et peu inductive
- MOSFET SiC haute fréquence
- NTC intégré
- Émetteur Kelvin pour une meilleure performance de commutation
- Configuration de l'émetteur ouvert
- Capteur de température
- Tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état de la source du drain
- Technologie SiC-MOSFET à grande vitesse
- Résistant à l'accrochage
- Substrat de forme convexe pour un contact thermique supérieur
- Conception compacte
- CTI600 Matériau du boîtier
- Soulagement de la force de poussée et de traction thermomécanique
- Connexion fiable par soudage à froid au circuit imprimé
- Pas de détérioration des trous de la carte de circuit imprimé pour permettre la réutilisation
- Applications
- Stations de recharge
- Alimentation électrique
- Soudage et coupage
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