Vincotech 10-EZ124PA032ME-LQ17F18T

1200 V HブリッジSiCパワーモジュール
RFPD
Vincotech 10-EZ124PA032ME-LQ17F18T

Vincotech 10-EZ124PA032ME-LQ17F18T

  • 製造元部品番号: 10-EZ124PA032ME-LQ17F18T
ご注文 / 詳細
  • 特徴
  • ウルフスピードの1200V SiC MOSFETダイと統合
  • ベースプラットレスハウジングと先進のダイアタッチ技術で信頼性を向上
  • ケルビン・エミッターの構成
  • 統合NTC
  • メリット
  • コンパクトで軽量なデザイン
  • 高効率でスイッチング周波数が高いため、受動部品の小型化が可能
  • 過酷な環境でも長寿命
  • あらかじめ塗布された相変化材料と圧入ピンで簡単に組み立てられる
  • スイッチング性能の向上
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当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム（GaN）または炭化ケイ素（SiC）への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。
 
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