Vincotech 10-EZ124PA032ME-LQ17F18T

1200 V H-Brücken-SiC-Leistungsmodul
RFPD
Vincotech 10-EZ124PA032ME-LQ17F18T

Vincotech 10-EZ124PA032ME-LQ17F18T

  • Hersteller-Teilenummer: 10-EZ124PA032ME-LQ17F18T
Bestellen / Mehr erfahren
  • Eigenschaften
  • Integriert mit dem 1200 V SiC MOSFET Chip von Wolfspeed
  • Grundplattenloses Gehäuse und fortschrittliche Die-Attach-Technologie für erhöhte Zuverlässigkeit
  • Kelvin-Emitter-Konfiguration
  • Integrierter NTC
  • Vorteile
  • Kompaktes und leichtes Design
  • Hoher Wirkungsgrad und höhere Schaltfrequenz ermöglichen kleinere passive Komponenten
  • Verlängerte Lebensdauer auch in rauen Umgebungen
  • Einfache Montage mit vormontiertem Phasenwechselmaterial und Einpressstiften
  • Verbesserte Schaltleistung
Vincotech Logo

Verwandte Seiten Inhalt

Unterstützung für Energie- und Leistungsdesign

Geben Sie uns die Möglichkeit, Ihr Projekt zu bewerten und Ihre Vision schneller auf den Markt zu bringen.

Fragen Sie einen Experten

Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.
 
Richardson RFPD Logo

Hilfreich Links