競合技術に対するSiC MOSFETの利点

競合技術に対するSiC MOSFETの利点

2021年11月12日

ウルフスピード

炭化ケイ素

この技術チャットでは、炭化ケイ素（SiC）とシリコン（Si）や窒化ガリウム（GaN）などの競合技術との比較についてよく聞かれる質問に取り組みます。また、高電力密度、高温、高効率という利点からSiCを採用した自動車、エネルギー、産業用アプリケーションについても取り上げます。

プレイリスト

ビデオ1本

ウォルフスピードとの技術チャット SiC MOSFETの競合技術に対する利点

9:11

関連コンテンツ

エネルギー＆電力技術チャット

炭化ケイ素設計におけるEMIエミッションの低減

この技術チャットでは、炭化ケイ素のEMIエミッションがシリコンと比較してどうであるか、また、これらのエミッションを補正するためにウォルフスピードのSiCモジュールが提供する利点について説明します。

2024年10月25日

エネルギー＆電力技術チャット

ウルフスピード＆リチャードソンRFPD技術チャットが炭化ケイ素統合の成功をサポート

ウォルフスピードとリチャードソンRFPDは、SiCの様々なトピックに関するエンジニア同士の会話からなる技術チャットのシリーズを開発しました。

2022年3月8日

エネルギー＆電力技術チャット

ウルフスピードSiCの信頼性

多くの電源設計者が炭化ケイ素デバイスレベルの認定、信頼性、一貫供給に注目している中、ウルフスピードが信頼性試験と認定試験の違いをどのように強調しているかを掘り下げます。

2021年11月21日

エネルギー・電力設計サポート

あなたのプロジェクトを評価し、あなたのビジョンをより早く市場に出すお手伝いをする機会を私たちに与えてください。

専門家チームについて

当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム（GaN）または炭化ケイ素（SiC）への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。