炭化ケイ素設計におけるEMIエミッションの低減

炭化ケイ素設計におけるEMIエミッションの低減

2024年10月25日

ウルフスピード

炭化ケイ素、炭化ケイ素パワーモジュール

シリコンをベースとする半導体に比べ、炭化ケイ素は導電損失が低く、スイッチング損失が低く、スイッチング速度と周波数が高いため、高効率を実現できる。しかし、スイッチング動作がEMIのトピックで問題になる可能性があります。この技術チャットでは、炭化ケイ素のEMI放射をシリコンと比較し、これらの放射を補正するウォルフスピードのSiCモジュールの利点について説明します。

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当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム（GaN）または炭化ケイ素（SiC）への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。