1700V SiC MOSFETへの移行による電力変換トレードオフの解消

1700V SiC MOSFETへの移行による電力変換トレードオフの解消

2022年6月6日

炭化ケイ素

高電圧電源システムの設計者は、シリコンMOSFETやIGBTを使用する際、顧客の継続的な技術革新のニーズを満たすのに苦労してきました。また、シリコンベースのソリューションは、今日の厳しいサイズ、重量、およびコスト要件を満たすことができません。しかし、高電圧炭化ケイ素(SiC)MOSFETの登場により、設計者は他のすべての課題を解決しながら性能を向上させる機会を得ました。

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当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム(GaN)または炭化ケイ素(SiC)への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。