ゲートドライバからパワーMOSFETまでの検証済みSiCコンバータ・ソリューション アナログ・デバイセズ

ゲートドライバからパワーMOSFETまでの検証済みSiCコンバータ・ソリューション アナログ・デバイセズ

2021年3月23日

ゲートドライバ、炭化ケイ素パワーモジュール

6.6 kWの高周波SiCパワーコンバータを安心して設計できます。ADI絶縁ゲートドライバとウォルフスピード炭化ケイ素MOSFETおよびショットキーダイオードを組み合わせて、効率的な高速スイッチングSiCソリューションを実現します。

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当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム(GaN)または炭化ケイ素(SiC)への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。