IGBTと炭化ケイ素MOSFETによるロバストトランジスタ回路の設計

IGBTと炭化ケイ素MOSFETによるロバストトランジスタ回路の設計

2022年9月11日

新しいスイッチング・トランジスタ回路を評価する場合、トランジスタの仕様のみが考慮されることが多い。しかし、最終的な設計のロバスト性を大きく左右するのはドライバ回路です。このホワイトペーパーでは、故障の原因を減らし、設計を簡素化するための設計ガイドラインとアドバイスを、より理解を深めるための応用例とともに紹介します。

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当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム（GaN）または炭化ケイ素（SiC）への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。