プラグアンドプレイmSiC™ゲートドライバで製品化までの時間を短縮

あらゆるものが電動化されることにより、システムの性能、信頼性、コストを向上させる必要性が高まっている。シリコン（Si）デバイスの限界は、これらの課題に対処するために、炭化ケイ素（SiC）などのワイドバンドギャップ技術の採用を促している。SiCは多くの利点を提供する一方で、電磁干渉（EMI）、過熱、過電圧状態などの設計上の課題ももたらしますが、適切なゲート・ドライバを選択することで対処することができます。

SiC技術が中高耐圧アプリケーションに広く採用されるにつれ、システム設計は複雑さを増し、時間がかかるため、市場投入までの時間が大幅に遅れる可能性があります。このような課題は、Microchip社のプラグアンドプレイmSiC™ゲートドライバ ファミリで十分に解決できます。mSiC™ゲートドライバ ファミリはターンキーソリューションとして設計されており、「箱から取り出してすぐに動作」します。

要点

• プラグアンドプレイ プラグアンドプレイ・ゲートドライバ
• プラグアンドプレイmSiC™ゲート・ドライバを使用することによる設計および性能上の利点をご覧ください。
• このゲート・ドライバ・ファミリと他の選択肢との違いを調べる 3.3 kVプラグアンドプレイmSiC™ゲート・ドライバ・ファミリを調べる

スピーカー

ミスミ炭化ケイ素事業部プロダクト・マーケティング・マネージャー、プラディープ・クルカルニ氏

Pradeep KulkarniはMicrochip社の炭化ケイ素事業部の製品マーケティング マネージャで、インドのバンガロールに拠点を置いています。mSIC™ゲート ドライバのマーケティング活動を指揮しています。 Pradeepはパワー半導体の大手企業で13年以上、製品管理、製品マーケティング、事業開発の職務を経験しています。ムンバイ大学で電子工学の学士号、CMR大学で製品リーダーシップのEMBAを取得。