MACOMのCMPA901A035Fは、炭化ケイ素(SiC)基板上の窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)ベースのモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)です。この半導体は、9~11GHzの瞬時帯域幅で35ワットの電力を供給する。GaN HEMT MMICは、熱強化された10リードの25mm×9.9mmのメタル/セラミックフランジパッケージに収められている。50Ωの小さなフットプリント・パッケージで高ゲインと優れた効率を提供する。
- 特徴
- 9.0 - 11.0 GHzオペレーション
- 標準出力 40 W
- 典型的なパワー・ゲイン 23 dB
- 典型的なPAE 35
- 28Vまで動作
- アプリケーション
- 軍事レーダー
- マリンレーダー
- 気象レーダー
- 医療用途
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