MACOM CMPA901A035F：35 W、9.0-11.0 GHz GaN MMIC PA

MACOM 的 CMPA901A035F 是基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)，采用碳化硅 (SiC) 衬底。该半导体可在 9 至 11 千兆赫的瞬时带宽范围内提供 35 瓦的功率。GaN HEMT MMIC 采用热增强型 10 引线 25 mm x 9.9 mm 金属/陶瓷凸缘封装。它采用 50 欧姆的小尺寸封装，具有高增益和卓越的效率。