SiC 650V MOSFET
SiC 650V MOSFET
業界で最も低い伝導性とスイッチング損失、
より小さくより軽い高効率の電力変換を可能に
ウルフスピードの第三世代650v mosfetテクノロジーは、サーバー電力供給給や電気自動車充電システム、エネルギー貯蔵システム、ups、太陽光発電インバーター、家電などの高性能パワーエレクトロニクスのアプリケーションに最適です。
- 主な特徴
- 高温での低いオン抵抗
- 低い寄生容量
- 超高速逆回復ダイオード
- 高温で机能
- ケルビンソースピン
- 行业标准
- 主な利点
- 低いスイッチング損失と低い伝導損失により、システムの効率を向上
- 周波数操作の高速スイッチングが可能
- システムレベルの電力密度を向上
- システムのサイズ、重量を縮小し、冷却の必要性を低減
- 新たなハードスイッチングトポロジーを可能に（トーテムポールpfc）。
部件编号 | 阻断电压 (V) | RDS(on)(mΩ) | (ID) @ 25°C (A) | 包装 | 样品 | C3M0015065K | 650 | 15 mΩ | 120 | TO-247-4 | 索取样品 |
|---|---|---|---|---|---|---|
C3M0015065D | 650 | 15 mΩ | 120 | TO-247-3 | 索取样品 | |
C3M0025065D | 650 | 25 mΩ | 97 | TO-247-3 | 索取样品 | |
C3M0025065K | 650 | 25 mΩ | 97 | TO-247-4 | 索取样品 | |
C3M0045065K | 650 | 45 mΩ | 49 | TO-247-4 | 索取样品 | |
C3M0060065K | 650 | 60 mΩ | 37 | TO-247-4 | 索取样品 | |
C3M0060065D | 650 | 60 mΩ | 37 | TO-247-3 | 索取样品 | |
C3M0060065J | 650 | 60 mΩ | 37 | TO-263-7 | 索取样品 | |
C3M0120065D | 650 | 120 mΩ | 22 | TO-247-3 | 索取样品 | |
C3M0120065K | 650 | 120 mΩ | 22 | TO-247-4 | 索取样品 | |
C3M0120065J | 650 | 120 mΩ | 21 | TO-263-7 | 索取样品 |
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