最新信息 产品洞察
2025年12月9日
pSemi的专利绝热电荷泵技术可降低开关过渡期间的电容重分布损耗，从而实现业界领先的效率（峰值高达99%）并缩小解决方案尺寸。
2025年12月8日
Wolfspeed正式推出其第四代技术平台——该平台专为高功率应用设计，旨在实现突破性的性能、耐用性和效率。
2025 年 11 月 18 日
直流/直流转换器通常需要为高压侧栅极驱动器提供隔离的非对称电源。最简单的（功能性）隔离可承受 1kVDC 一秒钟。
2025 年 8 月 12 日
探索 onsemi 最新的 SiC JFET，它在固态断路器 (SSCB) 应用中的性能优于超级结 MOSFET。
MSCSICPFC/REF5
MSCSICPFC/REF5 是一款三相维也纳 PFC 参考设计，适用于混合动力电动汽车/电动汽车 (HEV/EV) 充电器和大功率开关模式电源应用。
Microchip SiC 参考设计
1.7 kV SiC MOSFET 是在需要宽输入电压范围的辅助电源应用中使用单开关反激式拓扑结构的绝佳选择。
SpeedVal Kit™
业界最通用的模块化碳化硅评估平台为系统性能的在线评估提供了一套灵活的构建模块，加快了从硅到碳化硅的过渡。
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使用顶部散热 (TSC) 碳化硅功率器件进行设计
2025 年 9 月 26 日
Wolfspeed 现正通过商业化的方式，在汽车和工业市场上推出一种众所周知的顶部散热封装，从而扩大系统设计选择。
碳化硅还是氮化镓：为您的应用选择最佳宽带隙技术
2025 年 9 月 18 日
无论是碳化硅（SiC）还是氮化镓（GaN），宽带隙材料都以无与伦比的效率和性能为未来提供动力，推动电动汽车、可再生能源和新一代电子产品取得突破性进展。
能源与电力技术文章
2025 年 9 月 26 日
能源与电力技术文章
碳化硅还是氮化镓：为您的应用选择最佳宽带隙技术
无论是碳化硅（SiC）还是氮化镓（GaN），宽带隙材料都以无与伦比的效率和性能为未来提供动力，推动电动汽车、可再生能源和新一代电子产品取得突破性进展。
2025 年 9 月 18 日
能源与电力技术聊天
SiC JFET 在固态断路器设计中的优势
与机械断路器相比，SSCB 使用半导体器件快速切断电流，减少了损坏和火灾风险。本技术交流探讨了 SiC MOSFET 和 SiC JFET 之间的差异，并重点介绍了 SSCB 应用中的最佳选择。
2025 年 8 月 29 日
