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Wolfspeed第四代MOSFET
2026年2月25日
我们很高兴能扩大Wolfspeed第四代碳化硅MOSFET平台的覆盖范围——该平台提供更高效率、更简便的...
Wolfspeed正式推出其第四代技术平台——该平台专为高功率应用设计,旨在实现突破性的性能、耐用性和效率。
Wolfspeed 现正通过商业化的方式,在汽车和工业市场上推出一种众所周知的顶部冷却封装,从而扩大系统设计选择。
无法亲临现场?您仍然可以在我们的展台上了解我们的产品和解决方案。
碳化硅参考设计针对大功率应用,如冷熨,以减少岸对船电力系统中的排放和外形尺寸。
2300 V 三相逆变器参考设计展示了 Wolfspeed 新型 2300 V 无基板 SiC 功率模块的设计简易性和可扩展性。
本白皮书重点介绍 Wolfspeed 公司专为大功率电子应用而设计的第四代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。
顶部冷却功率半导体在电力电子设计领域越来越受到关注。改进的热...
相邻或共用导体的电子设备容易受到电磁干扰 (EMI) 的影响...
在这次技术交流中,我们将讨论碳化硅的 EMI 辐射与硅的比较,以及 Wolfspeed 的碳化硅模块在补偿这些辐射方面的优势。